이창양 산업부 장관 “정부도 전폭적 노력 아끼지 않을 것”
삼성전자가 세계 최초로 3나노미터(㎚) 파운드리 제품 양산에 돌입하며 반도체 역사를 새로 썼다.
삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 V1 라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 ‘게이트 올 어라운드(Gate All Around·GAA)’ 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 밝혔다.
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| ▲ (왼쪽부터) 삼성전자 경계현 대표, 산업통상자원부 이창양 장관, 삼성전자 파운드리사업부 최시영 사장 [사진=삼성전자 제공] |
이날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표와 임직원 등 100여 명이 참석했다.
협력사에서는 김영재 대덕전자 대표, 이준혁 동진쎄미켐 대표, 정현석 솔브레인 대표, 김창현 원세미콘 대표, 이현덕 원익IPS 대표, 이경일 피에스케이 대표 등이 자리를 함께했다.
이날 삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠다’라면서 자신감을 밝혔다.
삼성전자는 2000년대 초부터 GAA 트랜지스터 구조 연구를 시작했고, 2017년에 3나노 공정 적용을 본격화한 이후 지난달 말 세계 최초로 3나노 GAA 공정 양산을 발표했다.
이는 세계 1위 파운드리 업체인 대만의 TSMC를 제치고 가장 앞선 반도체 제조 공정 기술을 먼저 선보인 것이다.
GAA 구조는 스위치(게이트)와 통로(채널) 4개의 면이 접촉돼 기존의 핀펫(FinFET) 구조보다 소비 전력과 면적이 각각 50%, 35%씩 줄고 성능은 30% 이상 향상되는 효과를 가져온다.
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| ▲ 삼성전자 제공 |
정기태 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장(부사장)은 이날 기술 개발 경과보고 자리에서 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 각 사업부를 넘어선 협업을 통해 기술개발의 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발부터 양산에 이르는 과정을 설명했다.
이어 경계현 대표는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”면서 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.
또 이창양 장관은 축사를 통해 삼성전자 임직원들과 기술개발에 힘을 보탠 반도체 산업계의 노력에 감사를 표했다.
이 장관은 “앞으로도 3나노 공정이 높은 수율을 확보해 안정적으로 안착하기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장(소재·부품·장비) 업계가 힘을 모아야 한다”고 당부했다.
이어 “정부도 최근 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간투자 지원, 인력 양성, 기술개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 덧붙였다.
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| ▲ 삼성전자 제공 |
삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객사들과 모바일 시스템온칩(SoC) 등 다양한 제품군으로 확대 적용하기 위해 협력할 방침이다.
이현덕 원익IPS 대표는 “삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리 공정 양산을 준비하며 회사 임직원의 역량도 한층 더 강화됐다”며 “앞으로 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다”고 전했다.
국내 팹리스 업체인 텔레칩스의 이장규 대표는 “삼성전자의 초미세 공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다”며 “삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공한다”고 말했다.
삼성전자는 향후 평택 캠퍼스에서도 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작할 계획이다.
[메가경제=이석호 기자]
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