삼성전자가 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고 최근 AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.
12나노급 공정은 5세대 10나노급 공정을 의미한다.
 |
| ▲ 삼성 12나노급 16Gb DDR5 [삼성전자 제공] |
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 높이고 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다.
또한 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발됐다. 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.
DDR5 규격의 이번 제품은 최대 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도다.
삼성전자는 이 제품이 이전 세대 제품보다 소비 전력을 약 23% 개선해 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대하고 있다.
삼성전자는 성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이다. 데이터센터‧AI와 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다.
삼성전자는 이번 12나노급 D램을 내년부터 양산할 계획이다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장(부사장)은 "업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것"이라고 말했다.
조 매크리 AMD 최고기술책임자는 "AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다"고 전했다.
[메가경제=김형규 기자]
[저작권자ⓒ 메가경제. 무단전재-재배포 금지]
