2027년, 모바일 제외한 제품군 매출 비중 50% 이상 확대
삼성전자가 오는 2027년 1.4나노(㎚·10억분의 1m) 공정 도입 계획을 밝히며 경쟁사인 세계 1위 파운드리 업체 대만 TSMC와의 파운드리 기술 주도권 경쟁을 펼친다.
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| ▲ 10월 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2022'에서 삼성전자 파운드리사업부장 최시영 사장이 발표를 하고 있는 모습 [사진=삼성전자 제공] |
삼성전자는 지난 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 ‘삼성 파운드리 포럼 2022(Samsung Foundry Forum 2022)’를 열고, 파운드리 신기술과 사업 전략을 공개했다.
특히 3년 만에 오프라인으로 개최된 올해 행사에서는 향후 파운드리 사업 경쟁력 강화 방안을 발표하며 2025년에 2나노를, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입한다고 선언했다.
이날 발표자로 나선 최시영 파운드리사업부장(사장)은 “삼성전자는 더 나은 미래를 창조하는 파트너로서 파운드리 산업의 새로운 기준이 되겠다”며 1.4나노 반도체 양산 계획을 밝혔다.
앞서 삼성전자는 2015년 핀펫(FinFET) 트랜지스터를 세계 최초로 양산한 이후 올해 6월 GAA(Gate All Around) 트랜지스터 기술을 적용한 3나노 1세대 공정 양산을 시작했다.
이와 함께 2027년까지 선단 공정 생산능력을 올해보다 3배 이상 확대할 방침이다.
삼성전자는 평택과 화성, 미국 테일러 공장에서 선단 공정 파운드리 제조 라인을 운영하고, 화성과 기흥, 미국 오스틴에서는 성숙 공정을 양산하고 있다.
앞으로 ‘쉘 퍼스트(Shell First)’ 라인 운영으로 시장 수요에 신속하고 탄력적으로 대응할 예정이라고도 밝혔다.
쉘 퍼스트는 클린룸을 선제적으로 건설하고, 향후 시장 수요와 연계한 탄력적인 설비 투자로 안정적인 생산 능력을 확보한다는 의미다.
이에 따라 미국 테일러 파운드리 공장 1라인에 이어 2라인을 쉘 퍼스트에 따라 진행할 계획이며, 향후 국내외 글로벌 라인의 확대 가능성도 언급했다.
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| ▲ 10월 3일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2022'에 참가한 참석자들의 모습 [사진=삼성전자 제공] |
삼성전자는 2027년까지 모바일을 제외한 제품군의 매출 비중을 50% 이상 확대할 계획이다.
이를 위해 HPC(High Performance Computing)과 오토모티브(차량용 반도체), 5G, IoT 등 고성능 저전력 반도체 시장을 적극 공략할 방침이다.
삼성전자는 올해 6월 세계 최초로 3나노 공정 기반 HPC 제품을 양산한 데 이어 4나노 공정을 HPC와 오토모티브에 적용하고, eNVM(embedded Non-Volatile Memory)과 RF 등에도 다양한 공정을 개발할 예정이다.
공정 기술 혁신과 동시에 2.5D/3D 이종 집적 패키징 기술 개발에도 속도를 낸다.
3나노 GAA 기술에 MBCFET(Multi Bridge Channel FET) 구조를 적용하고, 3D IC 솔루션도 제공할 예정이다.
삼성전자는 2015년 고대역폭 메모리 HBM2를 출시한 뒤 2018년 I-Cube(2.5D), 2020년 X-Cube(3D) 등 패키징 적층 기술을 혁신해왔다.
I-Cube는 실리콘 인터포저 위에 로직과 HBM을 배치하는 2.5D 패키지 기술이며, X-Cube는 웨이퍼 상태의 복수의 칩을 위로 얇게 적층하는 3D 패키지 기술이다.
또 2024년에는 u-Bump(micro Bump)형 X-Cube를 양산하고, 2026년 Bump-less형 X-Cube를 선보일 계획이다.
한편, 이날 미국을 시작으로 7일 유럽(독일 뮌헨), 18일 일본(도쿄), 20일 한국(서울) 등에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 개최하고, 21일부터는 온라인으로도 행사 내용을 공개한다.
[메가경제=이석호 기자]
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