삼성전자 “5세대 10나노 D램·1000단 V낸드 개발한다”

김형규 / 기사승인 : 2022-10-06 12:15:01
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美 실리콘밸리서 테크데이 개최…'통합 솔루션 팹리스'로 도약

삼성전자가 지난 5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 '삼성 테크 데이 2022'를 개최하고 차세대 반도체 솔루션과 로드맵을 공개했다고 6일 밝혔다.

지난 2017년 시작된 '삼성 테크 데이'는 삼성전자의 차세대 반도체 기술을 공개하는 자리로, 이번 행사는 2019년 이후 3년 만에 오프라인으로 진행됐다.
 

▲ 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 메모리사업부장 이정배 사장이 발표를 하고 있는 모습. [사진=삼성전자 제공]

 

올해는 글로벌 IT 기업과 애널리스트‧미디어 등과 이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장), 박용인 시스템LSI사업부장(사장), 전재헌 미주총괄 부사장을 포함해 800여 명이 참석했다.

삼성전자는 이날 오전 시스템 반도체 제품 간 시너지 극대화를 통해 '통합 솔루션 팹리스'로 거듭나겠다고 밝혔다.

삼성전자는 SoC(System on Chip)‧이미지센서‧모뎀‧DDI(Display Driver IC), 전력 반도체(PMIC), 보안솔루션 등을 아우르는 약 900개의 시스템 반도체 포트폴리오를 보유하고 있다.

향후 제품 기술을 융합한 '플랫폼 솔루션'으로 고객 요구에 최적화한 통합 솔루션을 제공해 나갈 계획이다.

박 사장은 "삼성전자는 SoC‧이미지센서‧DDI‧모뎀 등 다양한 제품의 주요 기술을 유기적으로 융합해 4차 산업혁명 시대를 주도하는 '통합 솔루션 팹리스'가 될 것"이라고 말했다.

삼성전자는 4차 산업혁명 시대에는 초지능화‧초연결성‧초데이터가 요구된다고 전망하고 이를 위해 인간의 기능에 근접한 성능을 제공하는 최첨단 시스템 반도체를 개발하겠다고 밝혔다.

SoC에서는 NPU‧모뎀 등과 같은 주요 IP의 성능을 향상하는 동시에 글로벌 파트너사들과 협업해 업계 최고 수준의 CPU‧GPU를 개발하는 등 SoC의 핵심 경쟁력 강화할 계획이다.

또한 사람 눈에 가까운 초고화소 이미지센서를 개발하고 사람의 오감을 감지하고 구현할 수 있는 센서도 개발할 예정이다.
 

▲ '삼성 테크 데이 2022'에서 시스템LSI사업부장 박용인 사장이 발표를 하고 있는 모습. [사진=삼성전자 제공]

 

삼성전자는 이번 행사에서 부스 전시를 통해 첨단 시스템 반도체 제품을 소개했다.

차세대 차량용 SoC '엑시노스 오토 V920', 5G 모뎀 '엑시노스 모뎀 5300', QD OLED용 DDI 등 신제품들과 프리미엄 모바일AP '엑시노스 2200', 업계 최소 픽셀 크기의 2억 화소 이미지센서 '아이소셀 HP3', '생체인증카드'용 지문인증IC 제품 등도 공개됐다.

엑시노스 2200은 최첨단 4나노 EUV 공정과 최신 모바일 기술, 차세대 GPU‧NPU가 적용된 제품이다.

게임‧영상처리‧AI 등 다양한 영역에서 새로운 차원의 사용자 경험을 제공한다. 0.56㎛ 크기 픽셀의 아이소셀 HP3는 픽셀 크기를 기존 제품 대비 12% 줄여 모바일기기에 탑재할 카메라 모듈 크기를 최대 20%까지 축소하는 것이 가능해졌다.

지문인증IC는 삼성전자가 업계 최초로 카드에 각각 탑재하던 하드웨어 보안칩(SE), 지문 센서, 보안 프로세서를 하나의 IC칩에 통합한 제품으로 신용카드 사용자의 편의성을 높인다.

오후에 진행된 메모리 반도체 세션에서 삼성전자는 '5세대 10나노급(1b) D램', '8세대‧9세대 V낸드'를 포함한 차세대 제품 로드맵을 공개했다.

이 사장은 "향후 고대역폭‧고용량‧고효율 메모리를 통해 다양한 새로운 플랫폼과 상호진화하며 발전해 나갈 것"이라고 말했다.

삼성전자는 미래 D램 솔루션과 공정 미세화의 한계를 극복하기 위한 다양한 D램 기술을 공개했다.

삼성전자는 폭발적으로 증가하고 있는 데이터 사용량을 감당하기 위해 HBM-PIM‧AXDIMM‧CXL 등 다양한 시스템 아키텍처를 지원할 수 있는 차세대 D램 기술의 성장을 위해 글로벌 IT 기업들과 협력해 나가겠다고 밝혔다.

또한 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램과 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품을 적기에 출시해 프리미엄 D램 시장 지배력을 강화할 예정이다.

아울러 오는 2023년 5세대 10나노급 D램을 양산하고 하이케이 메탈 게이트 공정 등 새로운 공정 기술 적용과 차세대 제품 구조를 통해 공정 미세화 한계를 극복할 계획이다.

이와 함께 오는 2024년 9세대 V낸드를 양산하고, 2030년까지 1000단 V낸드를 개발하는 등 혁신적인 낸드 기술로 새로운 패러다임을 제시하겠다고 밝혔다.

연내에는 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1Tb TLC 제품을 양산할 계획이다.

삼성전자는 자율 주행(AD), 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS), 인포테인먼트(IVI), 텔레매틱스(Telematics) 등을 위한 최적의 메모리 솔루션을 공급해 오는 2025년 차량용 메모리 시장에서 1위를 달성할 계획이다.

또 차량의 첨단화‧전동화에 따른 고성능 메모리 필요성이 더욱 커지고 있는 시장에 LPDDR5X, GDDR7, 공유저장소(shared storage) 등 차세대 메모리 솔루션을 제공해 모빌리티 혁신을 이루어 나가겠다고 밝혔다.

이에 더해 SSD 내부에 탑재되는 D램 없이 PC에 탑재된 D램과 직접 연결하는 HMB 기술을 적용한 SSD 'PM9C1a'도 공개했다.

SSD 내부 연산 기능을 강화한 컴퓨테이셔널 스토리지 개발도 지속하고 있다. 인공지능에 최적화된 고성능, 저전력 제품을 통해 지속 가능한 미래를 만들어나가겠다고 밝혔다.

 

[메가경제=김형규 기자]  

 

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